IGBT应用答疑

2018-12-30 15:32:34 Westpac Electronics
  • 开关时集电极-发射极电压(VCE)在哪个端子进行测量?

  • 请在产品的主端子部分进行测量。数据表中如果另行记载了测量端子时,请在该端子处进行测量。

    图片关键词

    • 应用手册第3章10

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  • Q 22为什么在门极-发射极间施加反偏压(-VGE)?

  • 如果门极-发射极间的反偏压(-VGE)不足,可能引起IGBT误触发,导致短路。由于关断该电流时的尖峰电压和发生的损耗,可能导致产品损坏。详情请参考应用手册的第4章3.3和第7章1.2。

    • 应用手册第4章3.3

    • 应用手册第7章1.2

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  • Q 23斩波电路等仅使用FWD、相对侧IGBT没有使用时,门极-发射极间是否可以不施加反偏压(-VGE)?

  • 不使用的IGBT 的门极-发射极之间,请施加-5V以上(推荐-15V,最大-20V)的反偏压(-VGE)。反偏压(-VGE)不足时,IGBT可能由于FWD 反向恢复时的dv/dt 引起误触发而损坏。
    详情请参考应用手册的第3章10。

    • 应用手册第3章10

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  • Q 24IGBT驱动电路的设计注意事项有哪些?

  • 请参考应用手册的第7章5。记载了光耦合器的噪声耐受量、驱动电路与IGBT间的配线、门极过电压保护等相关的注意点。

    • 应用手册第7章5

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  • Q 25IGBT模块的最低工作温度是多少度?

  • 在保存温度(Tstg)的最低温度以内可以工作。但是,请在确认低温是否会导致器件耐压降低以及周边部件(电容器、控制电路)的特性后,加以研究。

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  • Q 26IPM能否工作在-40℃?

  • 本公司IPM在低温状态下的工作保证温度为Tc=-20℃以内。我们未实施低于该温度的动作评估,由于低温可能会由于器件耐压降低及搭载的电容器的容量降低导致误动作,因而在-20℃以下使用时不在保证范围以内。

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  • Q 27IGBT的最大集电极-发射极间的电压(VCES)有无温度依赖性?

  • 如果温度降低,则最大集电极-发射极间的电压(VCES)会降低。数据表中记载的是Tj=25℃时的最大集电极-发射极间的电压(VCES)。在设计支持中的技术资料中有温度依赖性的记载,敬请参考。

    图片关键词

    • V系列600V Vces的温度依赖性

    • V系列1200V Vces的温度依赖性

    • V系列1700V Vces的温度依赖性

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  • Q 28请告知IGBT的损耗的计算方法。

  • 我们免费提供可以计算IGBT损耗的软件,按照以下步骤,即可简单进行计算。
    (1) 下载本公司的损耗模拟软件
    (2) 启动损耗模拟软件
    (3) 输入芯片系列、电路构成、额定电压、额定电流,选择型号,点击“下一步”
    (4) 输入电路、PWM调制方式、计算条件,点击“执行计算”
    (5) 显示计算结果
    详情请参考手册。

    • FUJI IGBT模拟软件

    • IGBT模拟软件手册

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  • Q 29IGBT仿真软件有什么功能?

  • 可以推测3相2电平变频器电路、3相3电平变频器电路以及斩波电路中IGBT以及FWD发生的损耗和温度。可改变输出电流及开关频率等变频器的工作条件进行计算。还可计算负载连续变动时的损耗及温度变化。

    • FUJI IGBT模拟软件

    • IGBT模拟软件手册

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  • Q 30何谓结温(Tj)?

  • 是指半导体芯片上接合部的温度。

    图片关键词

    • 应用手册第2章

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