功率半导体疑问解答

2018-12-30 15:30:48 Westpac Electronics
  • 何谓V系列IGBT?

  • 采用本公司第6代IGBT芯片组的产品系列。采用在硅表面形成立体门极的沟槽栅构造,以及改善元件耐压特性的场终止层结构(FS结构)。通过这些技术,与本公司第5代IGBT(U系列IGBT)相比,第6代实现了硅晶圆的薄型化、低导通电压,降低了开关损耗,提高了开关速度的可控性。

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    • IGBT产品页次

    • 应用手册第1章

    • 设计支持

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  • Q 12请告知IGBT模块型号的读法。

  • 请参考半导体综合目录中的“Part Number”。

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    • 半导体综合目录1章

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  • Q 13请告知IGBT数据表中各项的含义。

  • 应用手册的第2章1中有术语说明,敬请参考。

    • 应用手册第2章1

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  • Q 14请告知模块额定值的选定方法。

  • 关于额定电压和额定电流,请参考应用手册第3章1的IGBT模块的选定。使用时请确认电压、电流、温度等是否在最大额定值范围内。

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    • 应用手册第3章1

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  • Q 15可以短时间超过IGBT的最大集电极-发射极间的电压(VCES)吗?

  • 最大集电极-发射极间电压(VCES)的最大额定值是规格书中明确记载的值,任何情况下都不能超过该值。

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  • Q 16如果使用数据表中记载的门极电阻值(RG)是否没有问题?

  • 最佳门极电阻值(RG)根据所使用的电路以及使用环境的不同而变化。数据表中记载了用于将开关损耗最小化的推荐电阻。请在决定门极电阻值(RG)时,对开关损耗、EMC/EMI、尖峰电压以及无法预料的振动等特性加以研究后,选定不超出数据表所记载内容的值。

    • 应用手册第5章

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  • Q 17如何决定门极电阻值(RG)?

  • 门极电阻值(RG)会对dv/dt、辐射噪声、电压/电流尖峰、开关损耗等带来很大影响,因而请按照实际的设计目标值,综合进行选定。推荐导通电阻值(RG(on))设置为标准值的2倍以上,关断电阻值(RG(off))设置为标准值的1~2倍左右。

    • 应用手册第5章

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  • Q 18怎样降低尖峰电压?

  • 尖峰电压是由开关时的较大di/dt,和模块外围的配线电感而产生的(L*di/dt)。例如有如下所示抑制方法。
    (1) 安装保护电路
    (2) 调整Rg或-VGE,降低di/dt
    (3) 加粗、缩短主电路配线、采用铜棒或并联平板配线,降低电感
    详情请参考应用手册第5章。

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    • 应用手册第5章

    • V系列1200V VCEP-RG依赖性

    • 起因于V系列1200V 缓冲电路的VCEP-RG依赖性

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  • Q 19IGBT模块的内置门极电阻值(RG)是多少Ω?

  • 第6代V系列IGBT模块的内置门极电阻值(RG)记载于数据表中,请参考数据表。
    第6代数据表中没有记载时以及第6代之前的产品(U系列、S系列)的相关问题,请指定型号进行咨询。

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    • IGBT产品页次

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  • Q 20选定门极电阻值(RG)时有何注意点?

  • 如果增加门极电阻值(RG),则开关损耗将增大,进而会由于死区时间不足引起桥臂短路。如果降低门极电阻值(RG),则可能发生急剧的尖峰电压。详情请参考应用手册的第2章2.2和第7章1.3。

    • 应用手册第2章2.2

    • 应用手册第7章1.3

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