FUJI富士7MBR50XRKD120-50 IGBT模块代替英飞凌FP50R12W2T7_B11

2020-03-05 20:35:11 Westpac Electronics

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FUJI富士7MBR50XRKD120-50 IGBT模块代替英飞凌FP50R12W2T7_B11

富士第七代X系列IGBT芯片技术

为了进一步实现模块的小型化和高效率,除了提高芯片性能, 创新的封装技术(散热性能和可靠性提高)也变得不可欠缺。为了满足市场需求,富士电机开发了新型 芯片技术和封装技术的第 7 代 IGBT 模块「X 系列」。 

 更低的变频器损耗(芯片技术) 第 7 代 X 系列 IGBT 通过极薄的晶圆制造技术和细小的沟槽门极结构,使得它在损耗方面的表现比我们 第 6 代 V 系列 IGBT 有了突飞猛进的进步。 

 连续运行温度 Tvjop=175℃实现了更高电流输出(封装技术) 通过使用新开发的封装技术(高散热绝缘基板/高耐热硅凝胶/高强度焊锡)和模块构造的优化(绑定线 直径/长度),提高了 X 系列在高温工作时的稳定性和耐久性,从而将最大连续可操作结温 Tvjop 从原来的 150℃提高到 175℃。这实现了在保持模块原有尺寸的条件下增加了输出能力。 

 额定电流的提升和 IGBT 模块的小型化 通过以上的性能提升,在保持模块尺寸不变的同时扩大了 X 系列模块的额定电流。 例) 1200V EP2 封装(最大额定电流:第 6 代:50A→ 第 7 代:75A),这意味着 X 系列的技术使得 额定电流扩大了 50%。 从另一个角度来说,最大额定电流的扩大可以让封装尺寸减小,原来 75A/1200V 只能使用更大的 EP3 封装。新一代的 IGBT 可以为电力变换装置小型化以及低成本化作出贡献。


广泛应用于通用变频器,伺服驱动,电机驱动,商用空调等。

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