第二代SiC沟槽栅极MOSFET

2020-02-08 17:05:10 Westpac Electronics

富士电机正在开发市场上的各种电力电子设备,以为实现低碳社会做出贡献。 为了进一步节省能源,我们开发了第二代SiC沟槽栅极MOSFET。 与第一代SiC沟槽栅极MOSFET相比,导通电阻降低了23%,这归因于器件的小型化,更薄的SiC衬底和更高的迁移率。 此外,推荐的栅极驱动电压已降至15V,从而提高了可用性。 此外,我们确认,由于栅极偏置,栅极阈值电压没有波动,这是SiC-MOSFET的可靠性问题,并且由于体二极管的导通,特性没有劣化(导通电阻上升)。

图片关键词第2世代SiC トレンチゲートMOSFET.pdf

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